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[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188032.1在审
发明人：黄江;董怀远;何磊;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
有机体异质结层有机太阳能电池钙钛矿修饰层异质结双体能级第二电极第一电极功能层制备太阳能电池电池效率开路电压制备工艺衬底引入

[发明专利]有序结晶有机膜的生长-CN200880104022.5有效
发明人：理查德·R·轮特;史蒂芬·R·福里斯特 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了利用有机气相淀积生长用于有机光敏器件的本体有机结晶层的方法，通过这类方法制造的异质结和膜，以及使用这类异质结的器件。本发明还公开了制造异质结和有机光敏器件的新方法，以及由此制造的异质结和器件。
有序结晶有机生长

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

[实用新型]一种C-纳米管异质结的有机气体传感器-CN201420417812.1有效
发明人：王丽娟;都昊;李一平;邹凤君 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种C-纳米管异质结的有机气体传感器。该C-纳米管异质结的有机气体传感器，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用C-纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。有机气敏层实现产生载流子，有机异质结层则实现有机载流子输运工作。该有机C-纳米管异质结的有机气体传感器在常温下能快速、灵敏的进行工作，并且利用真空蒸发技术一次性完成制备，简化制备流程。
一种纳米管异质结有机气体传感器

[发明专利]一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件-CN201610064522.7在审
发明人：彭应全;吕文理;钟隽康;许自强 -专利权人：兰州大学
申请日： 2016-01-30 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种以平面异质结为近红外光敏层的有机近红外上转换器件。采用有机平面异质结作为近红外光敏层，采用有机发光二极管(OLED)结构作为发光单元，制备有机近红外上转换器件。有机平面异质结采用给体‑受体或者受体‑给体平面异质结结构，OLED结构采用常规或者倒置OLED结构，设计了结构为“透明阴极/给体‑受体平面异质结光敏层/倒置OLED功能层/阳极”，“透明阴极/倒置OLED功能层/给体‑受体平面异质结光敏层/阳极”，“透明阳极/受体‑给体平面异质结光敏层/常规OLED功能层/阴极”和“透明阳极/常规OLED功能层/受体‑给体平面异质结光敏层/阴极”的四种有机近红外上转换器件
一种平面结为光敏有机红外转换器件

[实用新型]一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件-CN201620093962.0有效
发明人：彭应全;吕文理;钟隽康;许自强 -专利权人：兰州大学
申请日： 2016-01-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件。采用有机平面异质结作为近红外光敏层，采用有机发光二极管(OLED)结构作为发光单元，制备有机近红外上转换器件。有机平面异质结采用给体‑受体或者受体‑给体平面异质结结构，OLED结构采用常规或者倒置OLED结构，设计了结构为“透明阴极/给体‑受体平面异质结光敏层/倒置OLED功能层/阳极”，“透明阴极/倒置OLED功能层/给体‑受体平面异质结光敏层/阳极”，“透明阳极/受体‑给体平面异质结光敏层/常规OLED功能层/阴极”和“透明阳极/常规OLED功能层/受体‑给体平面异质结光敏层/阴极”的四种有机近红外上转换器件
一种平面结为光敏有机红外转换器件

[发明专利]一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202110917167.4在审
发明人：李志刚;杨永豪;路通 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种体异质结有机场效应晶体管存储器，自下到上依次包括：栅电极、栅绝缘层、电荷传输层、缓冲层、有机体异质结半导体层，有机体异质结半导体层上面分别沉淀有源极和漏极，有机体异质结半导体层包括n型半导体和p型半导体，n型半导体和p型半导体皆为有机材料，有机体异质结半导体层采用协同蒸发n型半导体和p型半导体制得。本发明可以制备工艺相较于多层结构有机异质结器件更为简单，通过电编程即可实现双极性存储特性，可以在空气中稳定运行，不受使用环境限制，有效的降低了制备成本。本发明还公开了制备上述体异质结有机场效应晶体管的方法。
一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用-CN202110629285.5在审
发明人：王京霞;岳钰琛;江雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种透明有机异质结阵列，包括透明基底，以及分布在其上的有机异质结阵列；其中，单个有机异质结上表面的面积为900‑10000μm2，单个有机异质结的厚度为该阵列中的单个有机异质结的尺寸小于人眼分辨率，且结构中存在大量孔隙，在可见光范围内可保持70％以上的光透过率，呈透明状态。基于该透明有机异质结阵列的光电探测器，具有透明、柔性、微型化、阵列化、集成化和可大面积制备的优势，且光电探测器中电荷传输距离短、开关比大、暗电流小。同时本发明还提供了基于液桥现象的上述有机异质结的制备方法，该方法简单，易操作。
一种透明有机异质结阵列及其制备方法应用

[发明专利]基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法-CN202110759016.0有效
发明人：迟力峰;黄丽珍;王滋;薛娣 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速
基于有机晶态异质结紫外光晶体管及其制备方法

[发明专利]一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法-CN201410624791.5有效
发明人：王丽娟;孙洋;都昊;邹凤君;李一平 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法。该碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用碳纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。特别是用碳纳米管有机气敏层实现高的气体敏感性，利用有机异质结提高载流子传输。该有机碳纳米管异质结的有机气体传感器在常温下响应速度快、灵敏性高的进行工作，并且利用真空蒸镀和溶液技术制备，工艺简单、成本低。
一种纳米管异质结有机气体传感器制备方法

[实用新型]一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管-CN201320060399.3有效
发明人：彭应全;吕文理;罗消 -专利权人：兰州大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管，其特征是它由衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层、有机体异质结光敏层、源极和漏极组成，有机载流子输运层一面与栅介质相连，而另一面与有机体异质结光敏层相连，形成混合平面一体异质结；有机体异质结光敏层一面与有机载流子输运层相连，并与其形成混合平面一体异质结，另一面与源极和漏极相连；栅介质、源极和漏极可以采用底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触或顶栅顶接触的结构
一种混合平面体异质结光敏有机场效应

[发明专利]含有有机异质结的电接触材料及其器件-CN200510016721.2有效
发明人：闫东航;王海波;王军;代继光;姜晓霞;严铉俊 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01H1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善有机半导体与金属电极之间接触的含有有机异质结的电接触材料。本发明的特征是所采用的含有有机异质结的电接触材料是由电子型和空穴型有机半导体及其构成的异质结组成。本发明还涉及到采用这种含有有机异质结的电接触材料作为缓冲层的有机二极管、有机场效应晶体管以及有机光伏器件。
含有有机异质结接触材料及其器件

[发明专利]一种以有机半导体异质结为电荷注入层的有机发光二极管-CN201910336753.2在审
发明人：马东阁;袁佳坤;代岩峰;孙倩;陈江山 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于有机发光二极管领域，公开了一种以有机半导体异质结为电荷注入层的有机发光二极管。所述有机发光二极管的结构由下至上依次包括透明玻璃基板、ITO阳极、有机异质结1、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、有机异质结2和Al阴极层；有机异质结1和有机异质结2均是由p型有机半导体材料和n型有机半导体材料组成的有机平面异质结。本发明的有机发光二极管实现了电荷注入原理的突破，完全不同于传统有机发光二极管从金属电极注入电荷的过程，所得有机发光二极管具有高效率、高稳定性的特点。
有机发光二极管有机异质结电荷注入层有机半导体电荷异质透明玻璃基板电子传输层电子注入层电子阻挡层空穴传输层高稳定性金属电极发光层高效率异质结

[发明专利]一种有机单晶异质结复合膜、其制备方法及用途-CN202080003261.2有效
发明人：李寒莹;伍瑞菡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：有机单晶异质结复合膜是由双层或多层有机半导体单晶薄膜堆叠在一起构成。所述的有机单晶异质结复合膜中至少有两层相邻的有机单晶薄膜之间具有高效贴合性。有机单晶异质结复合膜具有分子排列高度有序、本体缺陷少、载流子在单晶层中传输快、激子传输距离长、可以实现光电功能集成和柔性制备等优点。一种有机单晶异质结复合膜的生长方法，制备得到了高质量的有机单晶异质结复合膜，在传感器、光电探测器、太阳能电池、显示器、记忆存储器、互补电路等领域有着广泛的应用前景。
一种有机单晶异质结复合制备方法用途

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